Обычно используемый полупроводниковый датчик давления использует в качестве подложки кремниевую пластину N-типа. Во-первых, из кремниевой пластины изготавливают упругую, несущую нагрузку деталь определенной геометрии. В несущей нагрузку части кремниевой пластины изготавливаются четыре диффузионных резистора P-типа вдоль разных направлений кристалла, а затем из этих четырех резисторов формируется четырехплечевой мост Уитстона. Под действием внешней силы изменения значений сопротивления становятся электрическими сигналами. Этот мост Уитстона с эффектом давления является сердцем датчика давления, который обычно называют пьезорезистивным мостом (как показано на рисунке 1). Характеристики пьезорезистивного моста следующие: ① значения сопротивления четырех плеч моста равны (все r0); ② Пьезорезистивный эффект соседних ветвей моста одинаков по величине и противоположны по знаку; ③ Температурный коэффициент сопротивления четырех плеч моста одинаков, и они всегда имеют одинаковую температуру. На рис. 1, R0 — значение сопротивления без напряжения при комнатной температуре; RT — изменение, вызванное температурным коэффициентом сопротивления (α) при изменении температуры; Υ Rδ – изменение сопротивления, вызванное деформацией (ε); Выходное напряжение моста составляет u=I0 Δ Rδ=I0RGδ (мост источника постоянного тока).

Где I0 — ток источника постоянного тока, а e — напряжение источника постоянного напряжения. Выходное напряжение пьезорезистивного моста прямо пропорционально деформации (ε) и не имеет ничего общего с RT, обусловленным температурным коэффициентом сопротивления, что значительно снижает температурный дрейф датчика. Наиболее широко используемый полупроводниковый датчик давления — это датчик для определения давления жидкости. Его основная структура представляет собой капсулу из монокристаллического кремния (как показано на рисунке 2). Диафрагма выполнена в виде чашки, дно чашки является частью, воспринимающей внешнюю силу, а мост давления выполнен на дне чашки. Кольцевая подставка изготавливается из того же монокристаллического кремниевого материала, а затем к подставке прикрепляется диафрагма. Этот тип датчика давления обладает преимуществами высокой чувствительности, небольшого объема и прочности и широко используется в авиации, космической навигации, средствах автоматизации и медицинских инструментах.